美国能源部国家可再生能源实验室（NREL）的一组研究人员通过将砷化镓（GaAs）薄膜堆叠在带有玻璃夹层的指状交叉背接触（IBC）硅太阳能电池上，模拟出四端串联的III-V太阳能电池。
这个研究项目的主要作者Adele Tamboli告诉《光伏》杂志，“虽然我们已经做了一些初步的微型组件集成工作，但最终还需要大幅扩大尺寸，才能实现商业化。”她补充说，这些电池在解决了几项挑战之后可以实现商业化。“组合电池已经在工业规模上进行了验证。然而其成本高居不下，仍需要降低。”
该装置的有效面积为1平方厘米，据称与在研究水平上构造的类似电池相比效率更高，因为砷化镓吸收层的厚度得到了优化。科学家们解释说，“如果吸收层太薄，通过顶部电池的透射将增加，高能量的光子将在较低电压下被底部电池收集。而如果吸收层太厚，接近吸收层材料的少数载流子扩散长度，那么产生的载流子将过早复合，光子能量会以热量的形式损失掉。” 这种砷化镓电池是通过金属有机气相外延（MOVPE）生长在砷化镓衬底上的。吸收层的厚度在1.5到3.5微米之间，从而将2.4微米的预期最佳值包含在内。厚度为300微米的IBC电池由德国哈梅林太阳能研究所（ISFH）提供。研究人员表示，“我们将处理过的砷化镓电池堆叠在非晶硅底层电池上，中间有一层用于反转的相同环氧树脂薄层，来组装串联的电池，然后将得到的电池在室温下固化24小时。”
研究人员发现，当砷化镓厚度超过1.5微米时，所有采用这种设计的四端串联电池的效率都超过了32%。吸收层厚度为2.8微米的一种电池表现出最高的顶部电池和串联效率，分别达到了26.38%和32.57%。研究小组强调说，“虽然这里的砷化镓顶部电池的填充因子（FF）略有下降，但IBC底部电池表现出的效率比之前使用的硅异质结底部电池略高。” 这项研究的结果和电池的描述可以在《应用物理快报》上发表的论文《指状交叉背接触串联太阳能电池上的四端后置异质结砷化镓的优化》中找到。
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